Оптовые поставки электронных компонентов

+7 495 104-42-20

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@n-trade.ooo

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

Сравнение0 Избранные товары 0 Корзина 0

Контактная информация

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

info@n-trade.ooo

Транзисторы

Транзисторы - неклассифицированные

Транзисторы биполярные

Транзисторы и модули IGBT

Транзисторы однопереходные

Транзисторы униполярные

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 6,2Вт; DFN8 - ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Арт.: AONS32304

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

DFN8

Рассеиваемая мощность

—

6,2Вт

Полярность

—

полевой

Заряд затвора

—

130нC

Ток стока

—

40А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

30В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

2,3мОм

Напряжение затвор-исток

—

±20В

131.81 ₽

/шт

от 0 до 4 шт

131.81 ₽/шт

от 5 до 24 шт

104.06 ₽/шт

от 25 до 99 шт

90.19 ₽/шт

от 100 до 499 шт

83.25 ₽/шт

от 500 шт

78.05 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; Idm: 34А; 30Вт; TO220FP - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IPA80R360P7XKSA1

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO220FP

Рассеиваемая мощность

—

30Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

CoolMOS™ P7

Характеристики полупроводниковых элементов

—

ESD protected gate

Ток стока

—

8,6А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

800В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

0,36Ом

Напряжение затвор-исток

—

±20В

Ток стока в импульсном режиме

—

34А

369.42 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

369.42 ₽/шт

от 3 до 9 шт

331.27 ₽/шт

от 10 до 24 шт

291.38 ₽/шт

от 25 шт

263.63 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IRLR2905TRPBF

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

DPAK

Рассеиваемая мощность

—

110Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

бобина

Технология

—

HEXFET®

Характеристики полупроводниковых элементов

—

logic level

Заряд затвора

—

48нC

Ток стока

—

30А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

55В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

27мОм

Напряжение затвор-исток

—

±16В

Ток стока в импульсном режиме

—

160А

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,8А; 45Вт; TO252 - ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Арт.: AOD1N60

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TO252

Рассеиваемая мощность

—

45Вт

Полярность

—

полевой

Заряд затвора

—

6,1нC

Ток стока

—

0,8А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

600В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

9Ом

Напряжение затвор-исток

—

±30В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

STU13N60M2 - STMicroelectronics

Арт.: STU13N60M2

Монтаж

—

THT

Корпус

—

IPAK

Рассеиваемая мощность

—

110Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

MDmesh™ || Plus

Характеристики полупроводниковых элементов

—

ESD protected gate

Ток стока

—

7А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

600В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

380мОм

Напряжение затвор-исток

—

±25В

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 600В; 7А; 110Вт

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

1 2 3 ... 1821

Сортировка

Цена

1.73

77 111.73

154 222.73

231 332.73

308 443.70

Рабочая температура

Монтаж

Механический монтаж

Электрический монтаж

Тип модуля

Серия

Сопутствующие товары

Версия

Напряжение питания

Вид выхода

Размеры

Выходная мощность

Полярность

Применение

Вид упаковки

Мощность

Обратное напряжение макс.

Вид канала

Ток управления

Характеристики интегральных схем

Выходной ток

Класс напряжения

КПД

Коэффициент шумов

Вид транзистора

Усиление

Напряжение затвор - эмиттер

Толщина радитора

Ток выключения мин.

Торговое название