Арт.: WMJ28N60C4-CYG
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
160Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
WMOS™ C4
Заряд затвора
—
27,3нC
Ток стока
—
13А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
600В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
0,16Ом
Ток стока в импульсном режиме
—
65А
Напряжение затвор-исток
—
±30В
746.44 ₽
/шт от 0 до 2 шт
746.44 ₽/шт
от 3 до 9 шт
597.15 ₽/шт
от 10 до 29 шт
447.86 ₽/шт
от 30 до 119 шт
402.35 ₽/шт
от 120 до 299 шт
373.22 ₽/шт
от 300 до 899 шт
355.01 ₽/шт
от 900 шт
320.42 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXTH30N60P
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
540Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
—
standard power mosfet
Заряд затвора
—
82нC
Ток стока
—
30А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
600В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
240мОм
Время готовности
—
500нс
1 740.47 ₽
/шт от 0 до 2 шт
1 740.47 ₽/шт
от 3 до 9 шт
1 567.52 ₽/шт
от 10 до 29 шт
1 383.64 ₽/шт
от 30 шт
1 243.46 ₽/шт
В корзину
Арт.: PIC18LF46K80-I/PT
Рабочая температура
—
-40...85°C
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
TQFP44
Напряжение питания
—
1,8...3,6В DC
Вид упаковки
—
лоток
Кол-во входов/выходов
—
35
Тип микросхемы
—
микроконтроллер PIC
Характеристики интегральных схем
—
watchdog
Вид архитектуры
—
Harvard 8бит
Объем памяти SRAM
—
3648Б
Кол-во таймеров 16бит
—
3
Интерфейс
—
MSSP (SPI / I2C)
Объем Flash-памяти
—
64кБ
Семейство
—
PIC18
Тактовая частота
—
64МГц
Кол-во каналов ШИМ
—
1
Кол-во преобразователей A/D 12бит
—
11
Объем памяти EEPROM
—
1кБ
Количество емкостных каналов
—
11
Кол-во таймеров 8бит
—
2
835.65 ₽
/шт от 0 до 4 шт
835.65 ₽/шт
от 5 до 24 шт
782.85 ₽/шт
от 25 до 99 шт
755.54 ₽/шт
от 100 шт
700.92 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXFH86N30T
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
860Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
—
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
—
143нC
Ток стока
—
86А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
300В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
46мОм
1 940.74 ₽
/шт от 0 до 2 шт
1 940.74 ₽/шт
от 3 до 9 шт
1 747.76 ₽/шт
от 10 до 29 шт
1 543.85 ₽/шт
от 30 шт
1 385.46 ₽/шт
В корзину
Арт.: IRLHS6376TRPBF
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
PQFN2X2
Рассеиваемая мощность
—
1,5Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
бобина
Технология
—
HEXFET®
Характеристики полупроводниковых элементов
—
logic level
Ток стока
—
3,6А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
30В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
