Памяти SRAM параллельные

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C34096A-12JIN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOJ36

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

4Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

512Кx8бит

Время доступа

—

12нс

Ширина микросхемы

—

400mils

Память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; TSOP28; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C3256A-12TCN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TSOP28

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

256kб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

32Кx8бит

Время доступа

—

12нс

Память SRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; TSOP28; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C3256A-10TCN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TSOP28

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

256kб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

32Кx8бит

Время доступа

—

10нс

Память SRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C32096A-10TIN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TSOP44 II

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

2Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

256Кx8бит

Время доступа

—

10нс

Память SRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ32; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C31025C-12JIN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOJ32

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

1Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

128Кx8бит

Время доступа

—

12нс

Ширина микросхемы

—

400mils

Память SRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ32; параллельный; 400mils

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

1 2 3 ... 32