Оптовые поставки электронных компонентов

+7 495 104-42-20

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@n-trade.ooo

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

Сравнение0 Избранные товары 0 Корзина 0

Контактная информация

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

info@n-trade.ooo

Транзисторы

Транзисторы - неклассифицированные

Транзисторы биполярные

Транзисторы и модули IGBT

Транзисторы однопереходные

Транзисторы униполярные

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт - WAYON

Арт.: WMJ28N60C4-CYG

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Рассеиваемая мощность

—

160Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

WMOS™ C4

Заряд затвора

—

27,3нC

Ток стока

—

13А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

600В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

0,16Ом

Ток стока в импульсном режиме

—

65А

Напряжение затвор-исток

—

±30В

744.59 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

744.59 ₽/шт

от 3 до 9 шт

595.67 ₽/шт

от 10 до 29 шт

446.75 ₽/шт

от 30 до 119 шт

401.35 ₽/шт

от 120 до 299 шт

372.29 ₽/шт

от 300 до 899 шт

354.13 ₽/шт

от 900 шт

319.63 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 540Вт; TO247-3; 500нс - IXYS

Арт.: IXTH30N60P

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Рассеиваемая мощность

—

540Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

—

standard power mosfet

Заряд затвора

—

82нC

Ток стока

—

30А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

600В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

240мОм

Время готовности

—

500нс

1 736.16 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

1 736.16 ₽/шт

от 3 до 9 шт

1 563.64 ₽/шт

от 10 до 29 шт

1 380.21 ₽/шт

от 30 шт

1 240.38 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 86А; 860Вт; TO247-3 - IXYS

Арт.: IXFH86N30T

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Рассеиваемая мощность

—

860Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

—

thrench gate power mosfet

Заряд затвора

—

143нC

Ток стока

—

86А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

300В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

46мОм

1 935.93 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

1 935.93 ₽/шт

от 3 до 9 шт

1 743.43 ₽/шт

от 10 до 29 шт

1 540.03 ₽/шт

от 30 шт

1 382.03 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; 1,5Вт; PQFN2X2 - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IRLHS6376TRPBF

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

PQFN2X2

Рассеиваемая мощность

—

1,5Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

бобина

Технология

—

HEXFET®

Характеристики полупроводниковых элементов

—

logic level

Ток стока

—

3,6А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

30В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 60А; Idm: 120А; 780Вт - IXYS

Арт.: IXFH60N65X2

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Рассеиваемая мощность

—

780Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

X2-Class

Характеристики полупроводниковых элементов

—

ultra junction x-class

Заряд затвора

—

108нC

Ток стока

—

60А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

650В

Тип транзистора

—

N-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

52мОм

Напряжение затвор-исток

—

±30В

Время готовности

—

180нс

Ток стока в импульсном режиме

—

120А

2 048.53 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

2 048.53 ₽/шт

от 3 до 9 шт

1 848.76 ₽/шт

от 10 до 29 шт

1 634.46 ₽/шт

от 30 шт

1 469.20 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 1821

Сортировка

Цена

1.82

80 743.82

161 486.82

242 228.82

322 971.53

В наличии (1)

Рабочая температура

-25...85°C (3)

-40...85°C (4)

-55...150°C (9)

Монтаж

PCB (7)

SMD (4751)

THT (4059)

винтами (1)

Механический монтаж

Электрический монтаж

Press-Fit (18)

Press-in PCB (19)

SMT (8)

THT (12)

винтами (134)

коннекторы FASTON (47)

Тип модуля

gate driver board (7)

IGBT (121)

IPM (1)

полевой МОП-транзистор (112)

Серия

F5 (11)

H3 (16)

H5 (18)

T6 (3)

Сопутствующие товары

Версия

D56 (8)

D59 (2)

D61 (4)

D67 (2)

D93 (1)

T2 (1)

Напряжение питания

13...30В DC (1)

14,4...15,6В DC (6)

14...16В DC (1)

Вид выхода

Размеры

2x2мм (3)

3,3x3,3мм (9)

3x3мм (2)

5x6мм (19)

Выходная мощность

16Вт (1)

2,5Вт (1)

4Вт (3)

630мВт (1)

7,5Вт (1)

7Вт (1)

Полярность

Применение

for medium and high power application (8)

автомобильная отрасль (203)

двигатели (14)

для UPS (1)

инвертор (10)

контроль зарядки аккумулятора (1)

преобразователь частоты (61)

фотоэлектрика (2)

Вид упаковки

Ammo Pack (105)

бобина (104)

лента (3447)

лоток (25)

россыпью (518)

туба (2983)

Мощность

11кВт (2)

15кВт (4)

22кВт (1)

30кВт (1)

4кВт (1)

5,5кВт (2)

7,5кВт (2)

Обратное напряжение макс.

0,6кВ (2)

1,2кВ (91)

1,6кВ (1)

1,7кВ (10)

600В (13)

650В (3)

900В (1)

Вид канала

Ток управления

-20/20мА (1)

10мА (20)

20мА (1)

30мА (2)

50мА (21)

7,7мА (1)

Характеристики интегральных схем

Выходной ток

1,2кА (1)

15А (2)

20А (1)

8А (4)

Класс напряжения

КПД

Коэффициент шумов

10дБ (24)

12дБ (1)

2дБ (4)

4дБ (13)

6дБ (1)

8дБ (1)

Вид транзистора

BRT (369)

RF (72)

германиевый (19)

Дарлингтон (340)

дополнительная пара (147)

каскодный (12)

согласованная дополнительная пара (6)

согласованная пара (6)

Усиление

14,9дБ (1)

20дБ (1)

23дБ (1)

Напряжение затвор - эмиттер

±10В (1)

±20В (493)

±25В (14)

±30В (44)

Толщина радитора

1,14...1,4мм (24)

1,15...1,39мм (11)

1,2...1,45мм (25)

1,23...1,32мм (3)

макс. 1,2мм (7)

Ток выключения мин.

Торговое название