Арт.: IRF200P222
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247AC
Рассеиваемая мощность
—
556Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
StrongIRFET™
Заряд затвора
—
203нC
Ток стока
—
129А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
200В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
6,6мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
1 592.49 ₽
/шт от 0 до 2 шт
1 592.49 ₽/шт
от 3 до 9 шт
1 425.29 ₽/шт
от 10 до 24 шт
1 267.82 ₽/шт
от 25 шт
1 139.58 ₽/шт
В корзину
Арт.: WMF04N65C2-CYG
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
SOT223
Рассеиваемая мощность
—
4,6Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Технология
—
WMOS™ C2
Ток стока
—
3А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
650В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
2Ом
Напряжение затвор-исток
—
±30В
77.92 ₽
/шт от 0 до 2 шт
77.92 ₽/шт
от 3 до 9 шт
69.80 ₽/шт
от 10 до 24 шт
58.44 ₽/шт
от 25 до 99 шт
51.95 ₽/шт
от 100 до 249 шт
47.08 ₽/шт
от 250 до 499 шт
45.45 ₽/шт
от 500 до 999 шт
42.21 ₽/шт
от 1000 до 2499 шт
40.58 ₽/шт
от 2500 шт
38.96 ₽/шт
В корзину
Арт.: NTHL040N120SC1
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
174Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
SiC
Заряд затвора
—
106нC
Ток стока
—
42А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
1,2кВ
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
56мОм
Напряжение затвор-исток
—
-15...25В
Ток стока в импульсном режиме
—
240А
3 855.41 ₽
/шт от 0 до 2 шт
3 855.41 ₽/шт
от 3 до 9 шт
3 397.63 ₽/шт
от 10 до 29 шт
3 063.23 ₽/шт
от 30 шт
2 852.19 ₽/шт
В корзину
Арт.: AON7140
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
DFN3.3x3.3
Рассеиваемая мощность
—
18,5Вт
Полярность
—
полевой
Заряд затвора
—
42нC
Ток стока
—
50А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
40В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
2,3мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: CSD18514Q5AT
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
VSONP8
Рассеиваемая мощность
—
74Вт
Размеры
—
5x6мм
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Технология
—
NexFET™
Заряд затвора
—
29нC
Ток стока
—
50А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
40В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
4,1мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
