Обозначение производителя:
SI4599DY-T1-GE3
152.23 ₽
/шт от 0 до 49 шт
152.23 ₽/шт
от 50 до 99 шт
110.55 ₽/шт
от 100 до 249 шт
97.86 ₽/шт
от 250 до 499 шт
83.36 ₽/шт
от 500 до 999 шт
74.30 ₽/шт
от 1000 до 2499 шт
67.05 ₽/шт
от 2500 до 7499 шт
59.80 ₽/шт
от 7500 шт
52.55 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
SO8
Рассеиваемая мощность
—
3,1/3Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Все характеристики
Характеристики
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Рассеиваемая мощность
3,1/3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Технология
TrenchFET®
Заряд затвора
38/20нC
Ток стока
6,8/-5,8А
Вид канала
обогащенный
Напряжение сток-исток
40/-40В
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
62/42,5мОм
Напряжение затвор-исток
±20В
