Оптовые поставки электронных компонентов

+7 495 104-42-20

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@n-trade.ooo

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

Сравнение0 Избранные товары 0 Корзина 0

Контактная информация

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

info@n-trade.ooo

Транзисторы и модули IGBT

Модули IGBT

Транзисторы IGBT

IXA55I1200HJ - IXYS

Арт.: IXA55I1200HJ

Монтаж

—

THT

Корпус

—

PLUS247™

Рассеиваемая мощность

—

290Вт

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

XPT™

Заряд затвора

—

190нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

1,2кВ

Ток коллектора

—

54А

Ток коллектора в импульсе

—

150А

Время включения

—

110нс

Время выключения

—

350нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 54А; 290Вт; PLUS247™

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IXA20IF1200HB - IXYS

Арт.: IXA20IF1200HB

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Рассеиваемая мощность

—

165Вт

Вид упаковки

—

туба

Технология

—

XPT™

Заряд затвора

—

47нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

1,2кВ

Ток коллектора

—

22А

Ток коллектора в импульсе

—

45А

Время включения

—

110нс

Время выключения

—

350нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO247-3

Описание

792.19 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

792.19 ₽/шт

от 3 до 9 шт

699.66 ₽/шт

от 10 до 29 шт

628.23 ₽/шт

от 30 шт

586.02 ₽/шт

В корзину

IKW75N65EH5XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IKW75N65EH5XKSA1

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Серия

—

Рассеиваемая мощность

—

198Вт

Вид упаковки

—

туба

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

TRENCHSTOP™ 5

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора

—

160нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

650В

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

300А

Время включения

—

61нс

Время выключения

—

215нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 198Вт; TO247-3; Серия: H5

Описание

1 478.86 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

1 478.86 ₽/шт

от 3 до 9 шт

1 331.13 ₽/шт

от 10 до 29 шт

1 175.29 ₽/шт

от 30 шт

1 056.79 ₽/шт

В корзину

IKP04N60TXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IKP04N60TXKSA1

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO220-3

Рассеиваемая мощность

—

42Вт

Вид упаковки

—

туба

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

TRENCHSTOP™

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора

—

27нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

600В

Ток коллектора

—

4А

Ток коллектора в импульсе

—

12А

Время включения

—

21нс

Время выключения

—

207нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 42Вт; TO220-3

Описание

204.54 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

204.54 ₽/шт

от 3 до 9 шт

183.44 ₽/шт

от 10 до 49 шт

162.33 ₽/шт

от 50 до 249 шт

146.10 ₽/шт

от 250 шт

142.85 ₽/шт

В корзину

FGA60N60UFDTU - ON SEMICONDUCTOR

Арт.: FGA60N60UFDTU

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO3PN

Рассеиваемая мощность

—

119Вт

Вид упаковки

—

туба

Заряд затвора

—

188нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

600В

Ток коллектора

—

60А

Ток коллектора в импульсе

—

180А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 119Вт; TO3PN

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

1 2 3 ... 122

Сортировка

Цена

66.56

72 223.56

144 380.56

216 537.56

288 694.99

Рабочая температура

Монтаж

PCB (7)

SMD (51)

THT (420)

Механический монтаж

Электрический монтаж

Press-Fit (17)

Press-in PCB (18)

SMT (5)

THT (10)

винтами (28)

коннекторы FASTON (43)

Тип модуля

gate driver board (7)

IGBT (121)

IPM (1)

Серия

F5 (11)

H3 (16)

H5 (18)

T6 (3)

Сопутствующие товары

Версия

D56 (8)

D59 (2)

D61 (4)

D67 (2)

D93 (1)

T2 (1)

Напряжение питания

13...30В DC (1)

14,4...15,6В DC (6)

14...16В DC (1)

Вид выхода

Применение

for medium and high power application (8)

двигатели (14)

для UPS (1)

инвертор (10)

преобразователь частоты (61)

фотоэлектрика (2)

Вид упаковки

Мощность

11кВт (2)

15кВт (4)

22кВт (1)

30кВт (1)

4кВт (1)

5,5кВт (2)

7,5кВт (2)

Обратное напряжение макс.

0,6кВ (2)

1,2кВ (91)

1,6кВ (1)

1,7кВ (10)

600В (13)

650В (3)

900В (1)

Конструкция диода

диод/тиристор/БТИЗ (1)

диод/транзистор (48)

одиночный транзистор (184)

транзистор/транзистор (52)

Характеристики полупроводниковых элементов

integrated anti-parallel diode (168)

reverse conducting IGBT (RC-IGBT) (13)

вывод Кельвина (1)

высоковольтный (55)

Частота

100кГц (1)

15кГц (1)

200кГц (1)

50кГц (5)

Тип транзистора

Характеристики интегральных схем

Выходной ток

1,2кА (1)

15А (2)

20А (1)

8А (4)

Класс напряжения

Напряжение затвор - эмиттер

±10В (1)

±20В (493)

±25В (14)

±30В (44)

Торговое название