Арт.: 2012521-HON
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: FQB55N10TM
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
D2PAK
Рассеиваемая мощность
—
155Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Технология
—
QFET®
Заряд затвора
—
98нC
Ток стока
—
38,9А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
100В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
26мОм
Напряжение затвор-исток
—
±25В
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: SUP85N10-10-GE3
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO220AB
Рассеиваемая мощность
—
250Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
TrenchFET®
Заряд затвора
—
160нC
Ток стока
—
85А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
100В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
22мОм
Ток стока в импульсном режиме
—
240А
Напряжение затвор-исток
—
±20В
568.49 ₽
/шт от 0 до 9 шт
568.49 ₽/шт
от 10 до 49 шт
511.64 ₽/шт
от 50 до 249 шт
451.12 ₽/шт
от 250 до 999 шт
407.11 ₽/шт
от 1000 шт
364.93 ₽/шт
В корзину
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: MMBTA14-YAN
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
SOT23
Рассеиваемая мощность
—
0,3Вт
Полярность
—
биполярный
Вид упаковки
—
лента
Частота
—
125МГц
Тип транзистора
—
NPN
Напряжение коллектор-эмиттер
—
30В
Коэффициент усиления по току
—
10к
Ток коллектора
—
0,3А
Вид транзистора
—
Дарлингтон
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа