Модули IGBT

Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: FP75R12KT4

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

AG-ECONO3-3

Рассеиваемая мощность

—

385Вт

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

EconoPIM™ 3

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

150А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

49 429.77 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

49 429.77 ₽/шт

от 3 шт

44 704.35 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - SEMIKRON

Арт.: SKM300GB126D

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SEMITRANS3

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

200А

Ток коллектора в импульсе

—

400А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

47 067.06 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

47 067.06 ₽/шт

от 3 до 7 шт

42 339.83 ₽/шт

от 8 шт

39 386.90 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - HUAJING

Арт.: HFGM150D12V3-HUA

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

V3 62MM

Применение

—

инвертор

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Технология

—

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

150А

Ток коллектора в импульсе

—

350А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±30В

15 636.35 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

15 636.35 ₽/шт

от 3 до 9 шт

14 074.53 ₽/шт

от 10 шт

12 440.07 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В - POWERSEM

Арт.: PSI75/06

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

THT

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

ECO-PAC 2

Рассеиваемая мощность

—

208Вт

Применение

—

двигатели

Обратное напряжение макс.

—

600В

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

48А

Ток коллектора в импульсе

—

100А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B - IXYS

Арт.: IXDN75N120

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Рассеиваемая мощность

—

660Вт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

NPT

Ток коллектора

—

150А

Ток коллектора в импульсе

—

190А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

6 753.96 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

6 753.96 ₽/шт

от 3 до 9 шт

5 967.60 ₽/шт

от 10 шт

5 357.40 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 26