Модули IGBT

IXBN75N170A - IXYS

Арт.: IXBN75N170A

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Рассеиваемая мощность

—

500Вт

Применение

—

для UPS

Обратное напряжение макс.

—

1,7кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

BiMOSFET™

Ток коллектора

—

42А

Ток коллектора в импульсе

—

100А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B

Описание

13 320.71 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

13 320.71 ₽/шт

от 3 до 9 шт

11 771.36 ₽/шт

от 10 шт

10 563.42 ₽/шт

В корзину

Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC - SEMIKRON DANFOSS

Арт.: SKHI22AH4R

Рабочая температура

—

-40...85°C

Монтаж

—

PCB

Тип модуля

—

gate driver board

Корпус

—

SEMIDRIVER

Напряжение питания

—

14,4...15,6В DC

Вид выхода

—

драйвер IGBT

Применение

—

for medium and high power application

Частота

—

50кГц

Выходной ток

—

8А

Класс напряжения

—

1,7кВ

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами - POWEREX

Арт.: CM600HB-24A

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

IGBTMOD™

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Ток коллектора

—

600А

Ток коллектора в импульсе

—

1,2кА

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - SEMIKRON DANFOSS

Арт.: SKM400GB126D

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SEMITRANS3

Версия

—

D56

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

327А

Ток коллектора в импульсе

—

600А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А - STARPOWER SEMICONDUCTOR

Арт.: GD35PJY120L3S

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

L3.0

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

Advanced Trench FS IGBT

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

35А

Ток коллектора в импульсе

—

70А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

1 2 3 ... 26