Модули IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - SEMIKRON DANFOSS

Арт.: SKM400GB126D

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SEMITRANS3

Версия

—

D56

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

327А

Ток коллектора в импульсе

—

600А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А - STARPOWER SEMICONDUCTOR

Арт.: GD35PJY120L3S

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

L3.0

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

Advanced Trench FS IGBT

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

35А

Ток коллектора в импульсе

—

70А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 15А - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: FP15R12W1T4B3

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

AG-EASY1B-1

Рассеиваемая мощность

—

130Вт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

EasyPIM™ 1B

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

15А

Ток коллектора в импульсе

—

30А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

6 847.21 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

6 847.21 ₽/шт

от 3 до 9 шт

6 055.03 ₽/шт

от 10 шт

5 439.79 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B - IXYS

Арт.: IXA70I1200NA

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Рассеиваемая мощность

—

350Вт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

XPT™

Характеристики полупроводниковых элементов

—

высоковольтный

Ток коллектора

—

65А

Ток коллектора в импульсе

—

150А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

4 910.58 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

4 910.58 ₽/шт

от 3 до 9 шт

4 418.71 ₽/шт

от 10 шт

4 120.02 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: FZ600R12KE3HOSA1

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

AG-62MM

Рассеиваемая мощность

—

2,8кВт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Ток коллектора

—

600А

Ток коллектора в импульсе

—

1,2кА

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

47 529.54 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

47 529.54 ₽/шт

от 3 до 9 шт

42 071.90 ₽/шт

от 10 шт

37 847.99 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 26