Модули IGBT

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B - IXYS

Арт.: IXGN100N170

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Рассеиваемая мощность

—

735Вт

Обратное напряжение макс.

—

1,7кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

NPT

Характеристики полупроводниковых элементов

—

высоковольтный

Ток коллектора

—

95А

Ток коллектора в импульсе

—

600А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - YANGJIE TECHNOLOGY

Арт.: MG75HF12MRC1-YAN

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

C1 34mm

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

150А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А - MICROCHIP (MICROSEMI)

Арт.: APT100GLQ65JU3

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Применение

—

двигатели

Обратное напряжение макс.

—

650В

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

Trench

Топология

—

buck chopper

Ток коллектора

—

100А

Ток коллектора в импульсе

—

270А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

5 074.25 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

5 074.25 ₽/шт

от 3 шт

4 771.61 ₽/шт

В корзину

SKIIP37AC12T4V1 - SEMIKRON

Арт.: SKIIP37AC12T4V1

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-Fit

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

MiniSKiiP® 3

Применение

—

преобразователь частоты

Мощность

—

22кВт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

225А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

Описание

55 418.05 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

55 418.05 ₽/шт

от 3 до 7 шт

48 932.08 ₽/шт

от 8 шт

44 019.12 ₽/шт

В корзину

SEMIX71GD12E4S - SEMIKRON

Арт.: SEMIX71GD12E4S

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SEMIX®13

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

225А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

Описание

23 189.32 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

23 189.32 ₽/шт

от 3 шт

20 634.07 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 26