Арт.: IKW50N60T
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
333Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
TRENCHSTOP™
Характеристики полупроводниковых элементов
—
integrated anti-parallel diode
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
50А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
1 246.90 ₽
/шт от 0 до 4 шт
1 246.90 ₽/шт
от 5 до 24 шт
1 102.17 ₽/шт
от 25 до 99 шт
990.84 ₽/шт
от 100 шт
924.04 ₽/шт
В корзину
Арт.: IKW40N65F5FKSA1
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Серия
—
F5
Рассеиваемая мощность
—
250Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
TRENCHSTOP™ 5
Характеристики полупроводниковых элементов
—
integrated anti-parallel diode
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
650В
Ток коллектора
—
74А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
1 001.98 ₽
/шт от 0 до 2 шт
1 001.98 ₽/шт
от 3 до 9 шт
901.78 ₽/шт
от 10 до 29 шт
796.01 ₽/шт
от 30 шт
716.23 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXBF20N360
Монтаж
—
THT
Корпус
—
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Рассеиваемая мощность
—
230Вт
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
BiMOSFET™
Характеристики полупроводниковых элементов
—
высоковольтный
Заряд затвора
—
110нC
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
3,6кВ
Ток коллектора
—
20А
Ток коллектора в импульсе
—
220А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт
Описание
11 589.52 ₽
/шт от 0 до 2 шт
11 589.52 ₽/шт
от 3 до 9 шт
10 865.87 ₽/шт
от 10 до 24 шт
10 140.37 ₽/шт
от 25 шт
9 778.54 ₽/шт
В корзину
Арт.: IRG4BC40UPBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO220AB
Рассеиваемая мощность
—
160Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
40А
Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 160Вт; TO220AB
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: AUIRGSL4062D1
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO262
Рассеиваемая мощность
—
123Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
Trench
Заряд затвора
—
77нC
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
39А
Ток коллектора в импульсе
—
72А
Время включения
—
35нс
Время выключения
—
176нс
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
Транзистор: IGBT; Trench; 600В; 39А; 123Вт; TO262
Описание
873.95 ₽
/шт от 0 до 2 шт
873.95 ₽/шт
от 3 до 9 шт
814.57 ₽/шт
от 10 до 49 шт
757.05 ₽/шт
от 50 шт
697.67 ₽/шт
В корзину
