Обозначение производителя:
IXFN100N50P
8 691.52 ₽
/шт от 0 до 2 шт
8 691.52 ₽/шт
от 3 до 9 шт
7 820.54 ₽/шт
от 10 шт
6 911.22 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
1,04кВт
Все характеристики
Характеристики
Механический монтаж
винтами
Электрический монтаж
винтами
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Корпус
SOT227B
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Полярность
полевой
Конструкция диода
одиночный транзистор
Технология
HiPerFET™
Заряд затвора
240нC
Ток стока
75А
Вид канала
обогащенный
Напряжение сток-исток
500В
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Напряжение затвор-исток
±30В
Время готовности
200нс
Ток стока в импульсном режиме
250А
