Арт.: G3R20MT12N
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
365Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
SiC
Ток стока
—
74А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
1,2кВ
Сопротивление в открытом состоянии
—
20мОм
Напряжение затвор-исток
—
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
—
240А
8 412.10 ₽
/шт от 0 до 9 шт
8 412.10 ₽/шт
от 10 шт
7 776.52 ₽/шт
В корзину
Арт.: VMO580-02F
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
коннекторы FASTON
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
Y3-Li
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
HiPerFET™
Характеристики полупроводниковых элементов
—
вывод Кельвина
Заряд затвора
—
2,75мкC
Ток стока
—
580А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
200В
Сопротивление в открытом состоянии
—
3,8мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
Время готовности
—
300нс
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: IXFN140N20P
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
680Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
Polar™
Заряд затвора
—
240нC
Ток стока
—
115А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
200В
Сопротивление в открытом состоянии
—
18мОм
Напряжение затвор-исток
—
±30В
Время готовности
—
150нс
Ток стока в импульсном режиме
—
280А
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; Ugs: ±30В; 680Вт
Описание
5 129.64 ₽
/шт от 0 до 2 шт
5 129.64 ₽/шт
от 3 до 9 шт
4 624.40 ₽/шт
от 10 шт
4 083.76 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXFN132N50P3
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
1500Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
Polar™
Заряд затвора
—
250нC
Ток стока
—
112А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
500В
Сопротивление в открытом состоянии
—
39мОм
Напряжение затвор-исток
—
±40В
Время готовности
—
250нс
Ток стока в импульсном режиме
—
330А
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; Ugs: ±40В; 250нC
Описание
6 199.66 ₽
/шт от 0 до 9 шт
6 199.66 ₽/шт
от 10 до 99 шт
5 641.32 ₽/шт
от 100 шт
5 115.16 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXFN110N85X
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
1170Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
X-Class
Заряд затвора
—
425нC
Ток стока
—
110А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
850В
Сопротивление в открытом состоянии
—
33мОм
Напряжение затвор-исток
—
±40В
Время готовности
—
205нс
Ток стока в импульсном режиме
—
220А
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; Ugs: ±40В; 425нC
Описание
15 720.39 ₽
/шт от 0 до 2 шт
15 720.39 ₽/шт
от 3 до 9 шт
13 889.29 ₽/шт
от 10 шт
12 474.94 ₽/шт
В корзину
