Обозначение производителя:
IXFN110N85X
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; Ugs: ±40В; 425нC
15 720.39 ₽
/шт от 0 до 2 шт
15 720.39 ₽/шт
от 3 до 9 шт
13 889.29 ₽/шт
от 10 шт
12 474.94 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
1170Вт
Все характеристики
Характеристики
Механический монтаж
винтами
Электрический монтаж
винтами
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Корпус
SOT227B
Рассеиваемая мощность
1170Вт
Полярность
полевой
Конструкция диода
одиночный транзистор
Технология
X-Class
Заряд затвора
425нC
Ток стока
110А
Вид канала
обогащенный
Напряжение сток-исток
850В
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Напряжение затвор-исток
±40В
Время готовности
205нс
Ток стока в импульсном режиме
220А
