Обозначение производителя:
IXFN132N50P3
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; Ugs: ±40В; 250нC
6 199.66 ₽
/шт от 0 до 9 шт
6 199.66 ₽/шт
от 10 до 99 шт
5 641.32 ₽/шт
от 100 шт
5 115.16 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
1500Вт
Все характеристики
Характеристики
Механический монтаж
винтами
Электрический монтаж
винтами
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Корпус
SOT227B
Рассеиваемая мощность
1500Вт
Полярность
полевой
Конструкция диода
одиночный транзистор
Технология
Polar™
Заряд затвора
250нC
Ток стока
112А
Вид канала
обогащенный
Напряжение сток-исток
500В
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Напряжение затвор-исток
±40В
Время готовности
250нс
Ток стока в импульсном режиме
330А
