Арт.: IPA60R230P6XKSA1
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO220FP
Рассеиваемая мощность
—
33Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
CoolMOS™ P6
Ток стока
—
16,8А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
600В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
0,23Ом
Напряжение затвор-исток
—
±20В
494.81 ₽
/шт от 0 до 2 шт
494.81 ₽/шт
от 3 до 9 шт
443.68 ₽/шт
от 10 до 49 шт
396.21 ₽/шт
от 50 до 99 шт
381.60 ₽/шт
от 100 до 249 шт
335.96 ₽/шт
от 250 до 499 шт
303.09 ₽/шт
от 500 шт
277.53 ₽/шт
В корзину
Арт.: IPA80R360P7XKSA1
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO220FP
Рассеиваемая мощность
—
30Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
CoolMOS™ P7
Характеристики полупроводниковых элементов
—
ESD protected gate
Ток стока
—
8,6А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
800В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
0,36Ом
Напряжение затвор-исток
—
±20В
Ток стока в импульсном режиме
—
34А
388.91 ₽
/шт от 0 до 2 шт
388.91 ₽/шт
от 3 до 9 шт
348.74 ₽/шт
от 10 до 24 шт
306.74 ₽/шт
от 25 шт
277.53 ₽/шт
В корзину
Арт.: IRFP4137PBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247AC
Рассеиваемая мощность
—
341Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
HEXFET®
Заряд затвора
—
83нC
Ток стока
—
38А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
300В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
56мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
1 073.60 ₽
/шт от 0 до 4 шт
1 073.60 ₽/шт
от 5 до 24 шт
965.87 ₽/шт
от 25 до 99 шт
858.15 ₽/шт
от 100 шт
755.90 ₽/шт
В корзину
Арт.: IRFP4310ZPBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247AC
Рассеиваемая мощность
—
280Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
HEXFET®
Заряд затвора
—
120нC
Ток стока
—
134А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
100В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
6мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
650 ₽
/шт от 0 до 4 шт
650 ₽/шт
от 5 до 24 шт
584.27 ₽/шт
от 25 до 99 шт
509.41 ₽/шт
от 100 шт
447.33 ₽/шт
В корзину
Арт.: IPAN80R280P7
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO220FP
Рассеиваемая мощность
—
30Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
CoolMOS™ P7
Характеристики полупроводниковых элементов
—
ESD protected gate
Заряд затвора
—
36нC
Ток стока
—
10,6А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
800В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
0,28Ом
Напряжение затвор-исток
—
±20В
777.81 ₽
/шт от 0 до 2 шт
777.81 ₽/шт
от 3 до 9 шт
699.30 ₽/шт
от 10 до 49 шт
617.14 ₽/шт
от 50 шт
556.88 ₽/шт
В корзину