Арт.: IRGP4650DPBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
268Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Характеристики полупроводниковых элементов
—
integrated anti-parallel diode
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
76А
Транзистор: IGBT; 600В; 76А; 268Вт; TO247-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: IRGP4068D-EPBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
330Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Характеристики полупроводниковых элементов
—
integrated anti-parallel diode
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
96А
Транзистор: IGBT; 600В; 96А; 330Вт; TO247-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: IRG4PC30UDPBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
100Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Характеристики полупроводниковых элементов
—
integrated anti-parallel diode
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
32А
Транзистор: IGBT; 600В; 32А; 100Вт; TO247-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: IRFZ44VZSPBF
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
D2PAK
Рассеиваемая мощность
—
92Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Технология
—
HEXFET®
Заряд затвора
—
43нC
Ток стока
—
40А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
60В
Тип транзистора
—
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
12мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 92Вт; D2PAK
Описание
361.60 ₽
/шт от 0 до 2 шт
361.60 ₽/шт
от 3 до 9 шт
326.90 ₽/шт
от 10 до 49 шт
294.03 ₽/шт
от 50 шт
252.02 ₽/шт
В корзину
Арт.: IRFU9120PBF
Монтаж
—
THT
Корпус
—
IPAK
Рассеиваемая мощность
—
42Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
туба
Заряд затвора
—
18нC
Ток стока
—
-3,6А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
-100В
Тип транзистора
—
P-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
600мОм
Напряжение затвор-исток
—
±20В
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,6А; 42Вт; IPAK
Описание
136.97 ₽
/шт от 0 до 24 шт
136.97 ₽/шт
от 25 до 74 шт
84.01 ₽/шт
от 75 до 299 шт
74.88 ₽/шт
от 300 до 749 шт
65.74 ₽/шт
от 750 шт
62.09 ₽/шт
В корзину