Арт.: FGY75N60SMD
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
375Вт
Вид упаковки
—
туба
Заряд затвора
—
370нC
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
75А
Ток коллектора в импульсе
—
225А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 75А; 375Вт; TO247-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: FGH20N60SFDTU
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-3
Рассеиваемая мощность
—
66Вт
Вид упаковки
—
туба
Заряд затвора
—
65нC
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
20А
Ток коллектора в импульсе
—
60А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 66Вт; TO247-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: FGA60N60UFDTU
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO3PN
Рассеиваемая мощность
—
119Вт
Вид упаковки
—
туба
Заряд затвора
—
188нC
Тип транзистора
—
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600В
Ток коллектора
—
60А
Ток коллектора в импульсе
—
180А
Напряжение затвор - эмиттер
—
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 119Вт; TO3PN
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: FDN342P
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
SuperSOT-3
Рассеиваемая мощность
—
0,5Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Технология
—
PowerTrench®
Характеристики полупроводниковых элементов
—
logic level
Заряд затвора
—
9нC
Ток стока
—
-2А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
-20В
Тип транзистора
—
P-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
140мОм
Напряжение затвор-исток
—
±12В
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Описание
По запросу
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Арт.: FDMA530PZ
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
MicroFET
Рассеиваемая мощность
—
2,4Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Технология
—
PowerTrench®
Заряд затвора
—
11нC
Ток стока
—
-6,8А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
-30В
Тип транзистора
—
P-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
—
65мОм
Напряжение затвор-исток
—
±25В
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Описание
213.47 ₽
/шт от 0 до 4 шт
213.47 ₽/шт
от 5 до 24 шт
117.78 ₽/шт
от 25 до 99 шт
104.90 ₽/шт
от 100 до 499 шт
93.85 ₽/шт
от 500 шт
88.33 ₽/шт
В корзину