Обозначение производителя:
SI4447ADY-T1-GE3
95.36 ₽
/шт от 0 до 9 шт
95.36 ₽/шт
от 10 до 24 шт
80.69 ₽/шт
от 25 до 99 шт
73.35 ₽/шт
от 100 до 249 шт
67.85 ₽/шт
от 250 до 499 шт
64.18 ₽/шт
от 500 до 999 шт
56.85 ₽/шт
от 1000 до 2499 шт
53.18 ₽/шт
от 2500 до 4999 шт
51.35 ₽/шт
от 5000 шт
49.51 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Монтаж
—
SMD
Корпус
—
SO8
Рассеиваемая мощность
—
4,2Вт
Полярность
—
полевой
Вид упаковки
—
лента
Все характеристики
Характеристики
Монтаж
|
SMD |
Корпус
|
SO8 |
Рассеиваемая мощность
|
4,2Вт |
Полярность
|
полевой |
Вид упаковки
|
лента |
Технология
|
TrenchFET® |
Заряд затвора
|
38нC |
Ток стока
|
-7,2А |
Вид канала
|
обогащенный |
Напряжение сток-исток
|
-40В |
Тип транзистора
|
P-MOSFET |
Сопротивление в открытом состоянии
|
62мОм |
Ток стока в импульсном режиме
|
-20А |
Напряжение затвор-исток
|
±20В |