Обозначение производителя:
IKZ75N65ES5
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-4
1 694.89 ₽
/шт от 0 до 2 шт
1 694.89 ₽/шт
от 3 до 9 шт
1 498.06 ₽/шт
от 10 до 29 шт
1 346.80 ₽/шт
от 30 шт
1 255.68 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Монтаж
—
THT
Корпус
—
TO247-4
Рассеиваемая мощность
—
197Вт
Вид упаковки
—
туба
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Все характеристики
Характеристики
Монтаж
|
THT |
Корпус
|
TO247-4 |
Рассеиваемая мощность
|
197Вт |
Вид упаковки
|
туба |
Конструкция диода
|
одиночный транзистор |
Технология
|
TRENCHSTOP™ 5 |
Характеристики полупроводниковых элементов
|
integrated anti-parallel diode |
Заряд затвора
|
164нC |
Тип транзистора
|
IGBT |
Напряжение коллектор-эмиттер
|
650В |
Ток коллектора
|
80А |
Ток коллектора в импульсе
|
300А |
Время включения
|
71нс |
Время выключения
|
427нс |
Напряжение затвор - эмиттер
|
±20В |